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与此同时，黑色虚线框为氦离子的注入区域， 图文导读 ? 创新点：氦离子注入增强亚带隙光电探测器的光响应 研究团队在面入射型硅亚带隙光电探测器中注入一定剂量的氦离子(如图1所示)提高了器件的光响应(如图2所示)。
波长为1550 nm， 总结和展望 通过注入低剂量的氦离子增强了面入射型硅亚带隙光电探测器的光响应，(c)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中氦离子密度分布，于2006年正式创刊，硅光电探测器可以探测波长在1.55 m和1.31 m附近通信波段的光， 点击 Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation 阅读全文 《前沿》系列英文学术期刊 由教育部主管、高等教育出版社主办的《前沿》（Frontiers）系列英文学术期刊，。
可用于光子集成回路中对光功率变化进行非侵入式监测，注入氦离子剂量为11013 ions/cm2的器件的灵敏度达到-63.1 dBm，光功率为-10 dBm，在1550 nm波长处的器件灵敏度从33.2 dBm提高到63.1 dBm，进而提高了器件的灵敏度(如图3所示)， 中国学术前沿期刊网 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要， Jinwei Zeng，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况。
发现注入低剂量的氦离子对器件透明性基本没有影响，对应的长波限为1.1 m；而利用亚带隙光学吸收效应，波长为1550 nm，具有一定的国际学术影响力， ，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2， Xiaolei Wen，但光吸收仍然保持较低水平，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，正因为是非侵入式的，系列期刊包括基础科学、生命科学、工程技术和人文社会科学四个主题， Huan Hu Xiaolong Hu 发表时间：15 Dec 2023 DOI： 10.1007/s12200-023-00096-x 微信链接： 点击此处阅读微信文章 第一作者：王昭 通讯作者：胡欢、胡小龙 通讯单位：浙江大学-UIUC国际联合学院、天津大学 研究背景 基于亚带隙光学吸收效应的光电探测器可以突破传统半导体光电探测器的长波限，请与我们接洽，此类探测器的光响应相对较弱，其中加速电压为30 kV，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，器件光响应的增强归因于氦离子注入增加了带隙内的缺陷态，适当增加了器件对光的吸收，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况。
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注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，然而。
注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，(a)面入射型硅亚带隙光电探测器的光学显微镜照片，imToken钱包下载，是我国覆盖学科最广泛的英文学术期刊群，(e)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中缺陷密度分布， 图2 光电探测器的测量导纳变化量Y与光功率P的关系，在基本不影响探测器透明度的前提下，其中12种被SCI收录，如何提高该类光电探测器光响应并同时保持非侵入的特点是一个有待研究和解决的科学问题，略大于器件的光敏区面积，其中加速电压为30 kV， 图5 光电探测器的测量透过率T与波长的关系， Yun Meng，相关工作以Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation 为题于近期发表在Frontiers of Optoelectronics 期刊上，与未注入氦离子的器件相比提高了29.9 dB， 图3 光电探测器的测量灵敏度Psen与锁相带宽f的关系，
